GaNは青色LED材料としてだけではなく、
SiCと同様、次世代のワイドバンドギャップ半導体材料として
注目されています。

GaNはSiやSiCのように単体のウエハーで作成されるわけではなく、
Siやサファイア上にエピタキシャル成長で薄膜上に作成されます。
したがって、熱伝導率を評価したい場合は、
薄膜状態で評価しなければなりません。

また、
純度の高い結晶を作成する方法も開発されているようですが、
大きさは爪の先ほどの微小サイズにとどまっているようです。

サーマルマイクロスコープ/TMは、
上記どちらの形状の熱伝導率/熱浸透率測定に対応しております。

ここでは詳しい数値はご紹介できませんが、
ほぼ、文献値に対応した数値が得られています。


たとえば、微小サイズですと、
100μm程度の粒子の評価が可能です。
これはSiC粒子の例です。

薄膜ですと、
サブミクロンオーダーから測定ができます。
これは超伝導薄膜の例です。

当社のサーマルマイクロスコープＴＭ３は、
薄膜の熱伝導率（100nm～）、
微小領域の熱浸透率（3μm～）の測定ができる装置です。

測定依頼は、株式会社ベテル。
お問合せフォームからご連絡ください。