今回は、
SiCの微細熱伝導率分布評価例をご紹介します。

以前の記事でご紹介しましたように、
SiCは次世代半導体材料として期待されている材料ですが、
ワイドバンドギャップ材料であることとともに、
熱伝導率もSiに比べて高いことが知られていますが、
微細部分の熱伝導率分布を研究した例は少ないと思われます。

サーマルマイクロスコープTM3では、
最小3μmの分解能で熱伝導率の測定が可能です。
(熱浸透率からの換算値)

以下に測定値を示します。

多結晶SiC 270W/mK(±40W/mK)
単結晶6H-C SiC 370W/mK(±10W/mK)

多結晶SiCは測定箇所によるばらつきが多く、
均質ではないことがわかります。
単結晶SiCは場所によるばらつきは、
測定誤差と同程度でありほとんどばらつきがないことが
確認できました。

今後は半導体デバイス構造の微細化や、
高速化により、微細部の熱物性測定は
ますます重要になってくるでしょう。

詳細は、
The 28th Japan Symposium on
Thermophysical Property 2007 D134, D135
を参照ください。

当社のサーマルマイクロスコープTM3は、
薄膜の熱伝導率(100nm~)、
微小領域の熱浸透率(3μm~)の測定ができる装置です。

測定依頼は、
株式会社ベテル、下記メールアドレスまでご連絡ください。
k-hatorio@bethel.co.jp